Мир электроники постоянно подкидывает нам новые устройства, которые предполагают улучшения основных характеристик. Касается это и классической ОЗУ.
К примеру, недавно, стало известно о том, что у модулей компьютерной ОЗУ типа FRAM есть реальные перспективы для дальнейшего развития.Когда мы говорим о памяти FRAM, то речь идёт о сегнетоэлектрическом направлении технологий.
Главным преимуществом новой памяти можно назвать её отношение к электричеству. В качестве примера, стоит сказать, что память может зависеть от наличия электричества или же нет. Энергонезависимая память – это постоянные накопители, которые используются постоянного хранения данных.
А вот память энергонезависимого типа – это типичный представитель мира компьютерной ОЗУ. Её ячейки очищаются сразу же после того, как питание прекращается. В результате, при перебоях с электричеством, все данные, которые находятся в энергозависимой памяти, уничтожаются.
И вот, чтобы избежать этих проблем, уместно использовать памяти типа FRAM. Она, обладая всеми «плюсами» оперативной памяти, не потеряет никакой информации при прекращении подачи питания.
А значит, FRAM занимает некую нишу, между двумя основными типами памяти, делая компьютерные вычисления намного более безопасными, как для предприятий или лабораторий, так и для рядовых пользователей, которые бы не хотели потерять всю ту работу, которую они уже успели выполнить за компьютером, прежде чем он выключился.